收藏本站
Package Information
Vishay Siliconix
PolarPAK t
(Option S)
M4
M4
Product datasheet/information page contain
links to applicable package drawing.
10
D
9
G
8
S
7
S
6
D
VIEW A
M3
M2
M1
M3
D
1
G
2
S
3
S
4
D
5
A
c
(Top View)
6
7
8
9
10
Q
Q
H1
D
b1
H4
S
b3
S
G
H3 b2
H2
D
b1
H1
Z
P1
D1
D
A1
P1
DETAIL Z
b4
b4
b5
D
5
b5
S
4
S
3
b5
G
2
D
1
VIEW A
(Bottom View)
Document Number: 73398
10-Jun-05
www.vishay.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIE836DF-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK
SIE848DF-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
SIHB30N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
SIHF15N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP
SIHF18N50D-E3 MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
SIHF6N40D-E3 MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK
SIHG20N50C-E3 MOSFET N-CH 500V 20A TO247
SIHG24N65E-E3 MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
相关代理商/技术参数
SIE832DF 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SIE832DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 50A 104W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE832DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 103A 104W 5.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE836DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE836DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE844DF 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIE844DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE844DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
    • 我
    • 采购
    • 搜索
    • 会员